Samsung uvádí paměťové karty vyráběné 20nm procesem
19.4.2010, Milan Šurkala, Aktualita
Dalším zlepšením výrobního procesu paměťových Flash NAND čipů se zlepšují i jejich vlastnosti. Samsung chce přechodem z 30nm výroby na nový 20nm proces získat o 50 % vyšší výtěžnost, a tedy i nižší výrobní cenu a o 30 % vyšší rychlost paměťových karet.
Společnost Samsung přichází s novým výrobním procesem pro své Flash MLC NAND paměťové čipy. Doposud byla nejpokročilejší výroba 30nm, nyní ale Samsung inovuje a přechází dokonce na 20nm výrobní proces. Díky tomu je možno dosáhnout o 50% vyšší výtěžnosti výroby a mnohem nižší výrobní ceny (na jeden wafer, jehož výrobní cena je v podstatě podobná, se vejde zhruba 2,25× více čipů). Nové čipy s 32Gb kapacitou se budou využívat v mobilních telefonech i rychlých paměťových kartách.
Nové SDHC karty by měly být o 30 % výkonnější a dosáhnout na certifikaci Class 10. Výrobce hovoří o rychlostech čtení kolem 20 MB/s a zápisu 10 MB/s. Karty by měly být i spolehlivější. Starší 30nm čipy byly vyráběny od března roku 2009. 20nm čipy jsou již ve výrobě a první vzorky dodávány zákazníkům. Masová výroba začne ještě letos. Paměťové karty s novými čipy by měly být k dispozici v kapacitách 4 GB až 64 GB.
Zdroj: www.dpreview.com
Nové SDHC karty by měly být o 30 % výkonnější a dosáhnout na certifikaci Class 10. Výrobce hovoří o rychlostech čtení kolem 20 MB/s a zápisu 10 MB/s. Karty by měly být i spolehlivější. Starší 30nm čipy byly vyráběny od března roku 2009. 20nm čipy jsou již ve výrobě a první vzorky dodávány zákazníkům. Masová výroba začne ještě letos. Paměťové karty s novými čipy by měly být k dispozici v kapacitách 4 GB až 64 GB.
Zdroj: www.dpreview.com
